500 ميجا واط 830 نانومتر 9 ملم لثنائيات الليزر

500 ميجا واط 830 نانومتر 9 ملم لثنائيات الليزر

رقم الصنف: LD830TO500
إرسال التحقيق
الوصف

 


500 ميجا واط 830 نانومتر 9 ملم لثنائيات الليزر


diode



ورقة البيانات:

رقم الصنف: LD830TO500

اسم العنصر: 500 ميجا واط 830 نانومتر 9 ملم إلى دينار

بصري
مركز الطول الموجي 830 نانومتر
تحمل الطول الموجي ± 5 نانومتر
انتاج الطاقة 500 ميجاوات
تباعد المحور السريع 35 ديج
تباعد المحور البطيء 10 درجة
الكهرباء
التشغيل الحالي Iop 500 مللي أمبير
عتبة الحالية Ith 80 مللي أمبير
طاقة كهربائية شغالة 2V
الجهد العكسي LD & لتر ؛ 2V
كفاءة المنحدر 1.1W/A
حراري
درجة حرارة التشغيل -40~70℃
درجة حرارة التخزين -40~80℃



رسم:

201911111313387829585


الوسم : 500 ميجا واط 830 نانومتر 9 ملم لثنائيات الليزر الموردين والمصنعين الصين والمصنع والبيع بالجملة المصنوعة في الصين