100mW 974nm واحد باعث ليزر ديود رقاقة

100mW 974nm واحد باعث ليزر ديود رقاقة

رقم الصنف: LC974SE100
إرسال التحقيق
الوصف

 

100mW 974nm واحد باعث ليزر ديود رقاقة

لدينا 100mW 974nm واحد باعث رقاقة. إلى جانب هذا الطول الموجي ، نوفر أيضًا رقاقة ليزر 755 نانومتر ، 780 نانومتر ، 808 نانومتر ، 905 نانومتر ، 976 نانومتر ، 1064 نانومتر. رقائق الصمام الثنائي الليزري أحادي الباعث (SE) هي لبنة البناء الأساسية لوحدات ليزر أشباه الموصلات عالية الطاقة وعالية السطوع. يؤدي الفحص في كل جانب إلى نتيجة تضمن لكل منتج الموثوقية والاستقرار والعمر الطويل.

100mW 974nm Single Emitter Diode Laser  Chip

ميزة:

100 ميجا واط طاقة الإخراج ، 974 نانومتر الطول الموجي المركزي

وضع العمل: CW

حزمة COS المتاحة

كفاءة التغليف تكنولوجيا الطلاء تبديد الحرارة

خصائص مقاومة درجات الحرارة العالية

طلب:

لوحدة ليزر أشباه الموصلات عالية الطاقة

كمصدر ضخ لليزر الألياف والليزر ذو الحالة الصلبة

نظام إضاءة الأشعة تحت الحمراء

طبي (جمالي ، جلدي ، جراحة


ورقة البيانات

رقم الصنف: LC974SE100

اسم العنصر: رقاقة ليزر ديود أحادية الباعث 100 ميجا واط 974 نانومتر


بصري
الطول الموجي المركزي974 نانومتر
انتاج الطاقة100 ميجاوات
عرض الطيف2 نانومتر
عرض الباعث4um
طول التجويف1000 ميكرومتر
عرض رقاقة500um
سماكة150 ميكرومتر
تباعد المحور السريع (FWHM)40 درجة
تباعد المحور البطيء (FWHM)8 ديج
الكهرباء
التشغيل الحالي Iop120 مللي أمبير
عتبة الحالية Ith15 مللي أمبير
جهد التشغيل Vop2V
كفاءة التحويل40%
حراري
درجة حرارة التشغيل25℃
معامل درجة حرارة الطول الموجي0.3 نانومتر / ℃



التعبئة:

delivery1

دفع

T / T وويسترن يونيون ، لاختيارك

طرد

فيديكس ، دي إتش إل إكسبرس ، يو بي إس ، تي ان تي

سياسة العائدات

يدفع المشتري تكلفة الشحن.

ضمان

ضمان 1.5 سنة ، في 1 سنة ، جميع الخدمات مجانية.


الوسم : 100 ميجا واط 974nm واحد باعث ليزر ديود رقاقة الموردين والمصنعين الصين ، مصنع ، بالجملة ، صنع في الصين